| 型号：TPS1120DG4 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Texas Instruments |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| 系列 | - |
| 制造商 | Texas Instruments |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 15V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 1.17A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 5.45nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 840mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐171-4755-196微信同号，无线联通更快捷！8171-4755-1968（微信同号） |
| 深圳市金鑫弈科技有限公司 | 侯先生086-755-83349415/83229300 |
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